原廠和分銷商蓋章，2018年這四類元器件最缺！
2017年被動(dòng)元器件如MLCC、功率器件MOSFET、存儲(chǔ)芯片NANDFlash、DRAM等缺貨最為突出。針對(duì)缺貨較為嚴(yán)重的這幾類產(chǎn)品，記者采訪了代表性的原廠和分銷商，一起來(lái)聽聽他們對(duì)2018年的市場(chǎng)預(yù)判。
1、MLCC：原廠重心轉(zhuǎn)至汽車與工業(yè) 中低容MLCC將缺貨至Q4
從供應(yīng)端來(lái)看，日韓系廠商將業(yè)務(wù)重心轉(zhuǎn)向工業(yè)、新能源汽車及醫(yī)療等高端市場(chǎng)，逐漸淡出0.1uf－1uf的低容市場(chǎng)，是2017年MLCC缺貨的一大原因，加上三星MLCC廠房搬遷的影響，令MLCC市場(chǎng)供應(yīng)“雪上加霜”。
深圳市宇陽(yáng)科技發(fā)展有限公司營(yíng)銷中心副總經(jīng)理鄭春暉表示，日韓系大廠放棄了1uf以下中低容MLCC市場(chǎng)往車載、工業(yè)等領(lǐng)域轉(zhuǎn)移，是導(dǎo)致當(dāng)前中大尺寸低容MLCC缺貨的主要原因。目前，TDK已經(jīng)完全放棄了消費(fèi)類市場(chǎng)專攻汽車和工業(yè)，三星、京瓷和太陽(yáng)誘電前兩年都已經(jīng)在轉(zhuǎn)移重心了，村田也在逐步放棄1210、1206等中大尺寸低容市場(chǎng)。事實(shí)上，2017年，低容市場(chǎng)的缺貨也讓這些巨頭措手不及，當(dāng)然，它們也不可能再回頭針對(duì)這些已經(jīng)放棄的市場(chǎng)重新開出產(chǎn)能。因此，日韓系的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)移給了臺(tái)系和陸系廠商機(jī)會(huì)。
京瓷（中國(guó)）商貿(mào)有限公司副總經(jīng)理東山清彥坦言，目前，京瓷MLCC產(chǎn)品線不是特別豐富，主要是針對(duì)高端市場(chǎng)的小型化和高容的產(chǎn)品。
從應(yīng)用端對(duì)MLCC的性能要求來(lái)看，汽車、工業(yè)、醫(yī)療等應(yīng)用比消費(fèi)類應(yīng)用要求高很多，就拿溫度來(lái)說(shuō)，MLCC在消費(fèi)類電子應(yīng)用的溫度只需達(dá)到85度，而汽車類應(yīng)用要求達(dá)到125度、150度甚至200度，同時(shí)，汽車對(duì)MLCC的可靠性與測(cè)試環(huán)境要求也更嚴(yán)格。日韓系大廠在MLCC材料、設(shè)備和技術(shù)積累上也更有優(yōu)勢(shì)，專攻高端市場(chǎng)亦是情理之中。
從需求端來(lái)看，鄭春輝表示，MLCC缺貨和漲價(jià)得益于智能手機(jī)對(duì)MLCC單機(jī)搭載量的提升、無(wú)線充電需求的暴漲、物聯(lián)網(wǎng)中Wi－Fi等無(wú)線傳輸模塊需求量的增長(zhǎng)以及網(wǎng)通產(chǎn)品的爆發(fā)帶來(lái)的利好，同時(shí)純電動(dòng)汽車對(duì)MLCC需求量的驚人增長(zhǎng)也是MLCC供應(yīng)緊張的原因。
據(jù)風(fēng)華高科相關(guān)人士透露，截至2017年底MLCC的缺口達(dá)到1000－2000億只，在尺寸上0402、0603、0805、1206等中大型號(hào)供應(yīng)更為緊缺，主要得益于移動(dòng)通信、汽車與LED市場(chǎng)的拉動(dòng)，而智能手機(jī)無(wú)線充電用的NPO MLCC料號(hào)，漲幅更是在10倍以上，不過(guò)這顆NPO料號(hào)即便價(jià)高也無(wú)貨供應(yīng)。
記者獲悉，截至2017年底，部分MLCC廠商已經(jīng)停止接單，而仍在繼續(xù)接單的廠商，交貨周期也是一再延長(zhǎng)。大陸廠商的交貨周期由之前的4－6周變?yōu)楝F(xiàn)在的8－12周，臺(tái)系廠商交期延長(zhǎng)至12－16周，日系廠商的交期甚至延長(zhǎng)到24周。
2017年MLCC缺貨與漲價(jià)持續(xù)了整年，隨著2018年到來(lái)，三星電機(jī)、村田以及宇陽(yáng)等上游原廠依舊看好這波行情，并稱MLCC緊俏的行情可望延續(xù)到2018年年底。
村田（中國(guó)）投資有限公司總裁丸山英毅從兩方面解讀了市場(chǎng)對(duì)MLCC需求的增長(zhǎng)。一方面，智能手機(jī)市場(chǎng)雖然已趨于飽和，但輕薄化和新功能的加入不僅對(duì)MLCC有更多的需求，還對(duì)MLCC的品質(zhì)提出了更高的要求；另一方面，PC、游戲機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域?qū)LCC也有較大的需求。同時(shí)，在蘋果iPhone增加無(wú)線充電功能之后，市場(chǎng)對(duì)NPO MLCC的需求也快速上升，這也使缺貨和漲價(jià)情況更加嚴(yán)峻?？梢灶A(yù)見的是，2018年MLCC將會(huì)持續(xù)缺貨，并且缺口將比2017年更為嚴(yán)重。
臺(tái)灣MLCC巨頭國(guó)巨曾表示，2018年MLCC供需狀況持續(xù)緊缺，受新型智能手機(jī)拉貨動(dòng)能強(qiáng)勁，高毛利車用電子及工業(yè)級(jí)MLCC產(chǎn)品出貨比重提升。鑒于此，國(guó)巨將提高利基型MLCC產(chǎn)品比重（大約在10％－15％之間），行情可延續(xù)到2018年底。預(yù)計(jì)2018年國(guó)巨業(yè)績(jī)可望較2017年成長(zhǎng)15％－20％，或創(chuàng)歷史新高。
事實(shí)上，國(guó)巨在2017年已經(jīng)4度調(diào)漲部分品項(xiàng)MLCC產(chǎn)品價(jià)格，其緊缺的MLCC產(chǎn)品包括高容、低容和高壓的MLCC品類。在2017年第四季度，國(guó)巨發(fā)布漲價(jià)通知，針對(duì)通信、工業(yè)用NPO MLCC調(diào)漲報(bào)價(jià)20－30％，該應(yīng)用將以手機(jī)、手機(jī)充電器、電源供應(yīng)器等產(chǎn)品為主，約有15％的MLCC規(guī)格受惠。
“解決缺貨問(wèn)題最有效的措施當(dāng)然是提升產(chǎn)能”，丸山英毅表示村田在看到MLCC缺貨的情況之后已經(jīng)動(dòng)用了所有可以使用的資源去滿足市場(chǎng)需求，包括提供庫(kù)存以及提升產(chǎn)能。提升產(chǎn)能方面村田有長(zhǎng)期的計(jì)劃，例如在2017財(cái)年有2600億日元的設(shè)備投入來(lái)提高產(chǎn)能，未來(lái)還將持續(xù)投入，但產(chǎn)能的提升并非立竿見影，工廠的建設(shè)和投產(chǎn)都需要時(shí)間。“由于MLCC的需求仍在保持兩位數(shù)增長(zhǎng)，我們的產(chǎn)能2018年年底才能有明顯提升”。
某原廠預(yù)計(jì)，MLCC缺貨緩解時(shí)間是2018年底，在擴(kuò)充產(chǎn)能方面，原廠都比較謹(jǐn)慎，因?yàn)樵谠O(shè)備采購(gòu)、人工成本上都是不小的投入，設(shè)備購(gòu)買運(yùn)輸也需要時(shí)間，且明年的市場(chǎng)需求現(xiàn)在不能完全看清。以前MLCC的生產(chǎn)周期是21天，從下訂單到出貨在一個(gè)月左右，而現(xiàn)在是六個(gè)月，部分廠商已經(jīng)停止接單。相對(duì)而言，中小型客戶將缺貨更嚴(yán)重，大型客戶因跟原廠有供貨協(xié)議，因此不會(huì)遭受太高的漲價(jià)幅度。
鄭春暉也表示，2018年Q4并不是所有的型號(hào)都可以得到緩解，預(yù)計(jì)2018年智能手機(jī)對(duì)MLCC仍將維持2017年的需求量，但電動(dòng)汽車、物聯(lián)網(wǎng)對(duì)MLCC的需求將在2017年的基礎(chǔ)上仍會(huì)有大幅增長(zhǎng)。在擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃上，鄭春暉預(yù)計(jì)原廠對(duì)小尺寸封裝的MLCC的擴(kuò)產(chǎn)會(huì)多于中大尺寸的擴(kuò)充，用于無(wú)線充電的NPO料號(hào)目前缺口最大，但會(huì)在各家的相繼投產(chǎn)中逐步緩解緊缺危機(jī)。
2、NAND Flash：3D制程轉(zhuǎn)進(jìn)結(jié)束 2018價(jià)格下探 2019恐供過(guò)于求
硅晶圓供不應(yīng)求和晶圓代工廠新制程轉(zhuǎn)進(jìn)，是2017年存儲(chǔ)芯片缺貨與漲價(jià)的直接原因。上半年，三星、美光等DRAM制造正式進(jìn)入1x／1y納米時(shí)代，3D NAND也開始全面進(jìn)行投片，導(dǎo)致8寸和12寸硅圓供給日益吃緊，加上大陸半導(dǎo)體晶圓廠亦開始大幅度搶貨，缺貨程度愈發(fā)緊張。
NAND Flash缺貨的又一原因在于，服務(wù)器、PC和智能手機(jī)所搭載的存儲(chǔ)容量需求的翻倍。以智能手機(jī)用NAND Flash為例，2017年，排名前8的手機(jī)廠商都采用了中大容量閃存，中端機(jī)型一般是32G起步，高端機(jī)型在蘋果iPhone的引領(lǐng)下多采用64G和128G。單機(jī)搭載容量的翻倍增長(zhǎng)，必然以增加3D NAND堆疊層數(shù)為代價(jià)，進(jìn)而導(dǎo)致NAND Flash對(duì)硅晶圓的需求數(shù)倍增長(zhǎng)。相對(duì)國(guó)內(nèi)主流的品牌機(jī)型，出口海外的手機(jī)容量仍以8G和16G為主，而這部分產(chǎn)品仍集中在2D制程，除此2D制程仍會(huì)滿足車載、POS機(jī)等行業(yè)客戶的需求。
從2017年工藝制程的轉(zhuǎn)進(jìn)來(lái)看，2017年上半年仍以2D為主，下半年已全面轉(zhuǎn)向了3D。3D比2D有成本優(yōu)勢(shì)，且隨著良率的提升這種優(yōu)勢(shì)會(huì)被無(wú)限放大，以32G NAND Flash為例，3D工藝要比2D節(jié)省18－20美金，這必然加速原廠將制程從2D向3D轉(zhuǎn)進(jìn)。
深圳市江波龍電子有限公司產(chǎn)品中心嵌入式產(chǎn)品經(jīng)理李中政告訴記者，目前32G、64G和128G都已全面采用64層3D NAND Flash工藝，且32G已經(jīng)成為市場(chǎng)應(yīng)用主流，預(yù)計(jì)2018年3月，三星第四代3D NAND Flash以及東芝第三代3D NAND Flash開始批量量產(chǎn)，屆時(shí)NAND Flash產(chǎn)能就會(huì)趨向穩(wěn)定。預(yù)計(jì)2018年5－6月份，隨著產(chǎn)能的穩(wěn)定，3D NANDFlash價(jià)格會(huì)有所下降。
從3D NAND Flash的主流應(yīng)用來(lái)看，2018年3D會(huì)率先普及SSD固態(tài)硬盤和T卡，并以48層和64層為主，待SSD固態(tài)硬盤和T卡等穩(wěn)定性提高之后，才會(huì)普及到智能手機(jī)等嵌入式產(chǎn)品。
“隨著供應(yīng)商3D NAND Flash良率逐步改善，預(yù)計(jì)2018年Q1整體供需將出現(xiàn)轉(zhuǎn)變。”Cinno產(chǎn)業(yè)咨詢部副總經(jīng)理?xiàng)钗牡妙A(yù)計(jì)，2018年，2D NAND Flash會(huì)全面轉(zhuǎn)向3D NAND Flash，預(yù)計(jì)3D與2D的產(chǎn)出比例為8：2。2018年NAND的主要成長(zhǎng)仍將依賴服務(wù)器、云儲(chǔ)存以及車載的快速增長(zhǎng)。國(guó)內(nèi)阿里、百度、騰訊與國(guó)外谷歌、亞馬遜等巨頭對(duì)大數(shù)據(jù)和服務(wù)器存儲(chǔ)的需求上揚(yáng)，將促使SSD在云服務(wù)器的應(yīng)用得到持續(xù)增長(zhǎng)。
李中政也表示，隨著存儲(chǔ)巨頭將8成的產(chǎn)能都轉(zhuǎn)向3D NAND Flash，預(yù)計(jì)2018年Q2左右3D NAND Flash價(jià)格會(huì)逐漸下探至理性水位。不過(guò)由于存儲(chǔ)巨頭逐漸減弱2D產(chǎn)能，仍適用于汽車的高可靠性2D NAND Flash依然會(huì)供應(yīng)吃緊，價(jià)格自然也不會(huì)有明顯下調(diào)。
目前，三星的3D NAND的產(chǎn)能已經(jīng)占到自家總產(chǎn)能的70％甚至更高，其他諸如美光、東芝、海力士的3D NAND Flash占比僅20％，但3D制程已成是主流趨勢(shì)，2018年下半年會(huì)逐漸起量。
從未來(lái)各大巨頭的擴(kuò)產(chǎn)趨勢(shì)來(lái)看，
東芝剛宣布新建的Fab 7以及已興建中的Fab 6以外，為應(yīng)對(duì)旺盛的服務(wù)器SSD需求；
英特爾也將擴(kuò)建大連廠二期，目標(biāo)在2018年底增加一倍的3D NAND Flash產(chǎn)能；
三星將擴(kuò)建西安廠二期，持續(xù)放大在中國(guó)生產(chǎn)3D NAND Flash的能量；
SK海力士則將在韓國(guó)清州廠區(qū)另外興建一座新廠M15，同樣以投產(chǎn)96層以上3D NANDFlash為目標(biāo)，預(yù)計(jì)2019年正式進(jìn)入營(yíng)運(yùn)。
楊文得也預(yù)計(jì)2018年3D NAND的產(chǎn)出會(huì)不斷加載，良率也會(huì)提升很多。隨著3D產(chǎn)能的不斷釋放，預(yù)計(jì)2018年一整年3D NAND的價(jià)格將比2017年下跌15－20％。而在中國(guó)大陸，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將于2018年下半年投產(chǎn)32層3D NAND Flash產(chǎn)品，并致力于64層產(chǎn)品的開發(fā)，以拉近與其他供應(yīng)商之間的差距。不過(guò)，相對(duì)國(guó)際存儲(chǔ)巨頭，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的32層3D NAND Flash最早也要到2019年Q2或Q3才會(huì)有真正的產(chǎn)能開出。
DRAMeXchange特別分析指出，基于各大供應(yīng)商都在擴(kuò)充3D NAND Flash產(chǎn)能，預(yù)計(jì)2019年以后3D NAND Flash市場(chǎng)恐將再度陷入供過(guò)于求的格局，至于2D NAND Flash因供應(yīng)商陸續(xù)轉(zhuǎn)產(chǎn)，僅維持較低比重以滿足工規(guī)需求，因此2D市場(chǎng)將逐漸轉(zhuǎn)變?yōu)槔袌?chǎng)。
3、DRAM：“寡頭”優(yōu)勢(shì)延續(xù) 產(chǎn)能限量開出 價(jià)格持續(xù)暢旺
從全球DRAM市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局來(lái)看，三星、SK海力士和美光共囊括了全球95％以上的市場(chǎng)份額，在供應(yīng)端擁有絕對(duì)的話語(yǔ)權(quán)。業(yè)界均預(yù)測(cè)，從三大巨頭欲持續(xù)盈利的角度考慮，2018年DRAM產(chǎn)能輸出恐仍將吃緊，漲價(jià)仍在所難免。
據(jù)業(yè)內(nèi)權(quán)威機(jī)構(gòu)提供的數(shù)據(jù)來(lái)看，DRAM的平均售價(jià)已由2016年4月的2．41美元攀升到2017年2月的3．7美元，漲幅高達(dá)53．3％。從產(chǎn)品毛利率來(lái)看，供應(yīng)智能手機(jī)DRAM的毛利率已高達(dá)50％－60％，依靠這些價(jià)格高漲的DRAM產(chǎn)品，三星2017年前三季度的利潤(rùn)高達(dá)338．1億美元，同比增長(zhǎng)92．3％。
Cinno產(chǎn)業(yè)咨詢部副總經(jīng)理?xiàng)钗牡妙A(yù)計(jì)，2018年三星、SK海力士和美光依然會(huì)以獲利為主要考量，因此不會(huì)明顯開出更多DRAM產(chǎn)能，可見2018年DRAM仍將維持一定幅度的漲勢(shì)，漲幅約為10－15％。從應(yīng)用端來(lái)看，服務(wù)器需求將受益于AI、VR／AR以及車載對(duì)運(yùn)算力的升級(jí)而持續(xù)增加，因此他持續(xù)看好DRAM在2018年的漲勢(shì)。
三星、SK海力士和美光幾乎占據(jù)了全球98％的DRAM市場(chǎng)份額。集邦科技行動(dòng)式記憶體研究經(jīng)理黃郁琁表示，2018年三家DRAM大廠的產(chǎn)出仍將十分有限，她預(yù)計(jì)服務(wù)器使用的高效能DRAM與智能手機(jī)使用的低功耗、高密度DRAM缺貨情況仍會(huì)相當(dāng)明顯。她預(yù)計(jì)2018年上半年DRAM價(jià)格都會(huì)是上揚(yáng)態(tài)勢(shì)，直到三星平澤廠有些許DRAM量產(chǎn)后，全球DRAM供應(yīng)才會(huì)有所改善。
黃郁琁預(yù)計(jì)，2018年的移動(dòng)式DRAM會(huì)從LPDDR3轉(zhuǎn)換到LPDDR4，一是因?yàn)楦咄?、華為的高端手機(jī)芯片平臺(tái)要求搭載性能更強(qiáng)的LPDDR4芯片，促使終端手機(jī)廠商不得不升級(jí)DRAM的搭載標(biāo)準(zhǔn)；二是三星、SK海力士和美光三巨頭的產(chǎn)品規(guī)劃本身也是朝著LPDDR4演進(jìn)。不過(guò)她也表示，由于三大巨頭的價(jià)格都非常強(qiáng)勢(shì)，阻擋了DRAM容量提升的幅度，所以2018年LPDDR3仍會(huì)在市場(chǎng)徘徊一段時(shí)間才會(huì)進(jìn)入LPDDR4，而更先進(jìn)的LPDDR4X和LPDDR5系列預(yù)計(jì)要到2019年才會(huì)真正普及。
事實(shí)上，2016年前DRAM漲價(jià)幅度已經(jīng)達(dá)到了30％，2017年搭載8GB DDR4 DRAM的旗艦機(jī)寥寥可數(shù)，只因終端廠商難以承受高漲的價(jià)格而保守選用了低容量的LPDDR3。2018年DRAM價(jià)格仍會(huì)持續(xù)上漲，所以LPDDR3仍會(huì)在市場(chǎng)有一定時(shí)間的停留。黃郁琁預(yù)計(jì)2018年DRAM市場(chǎng)需求量仍會(huì)有14％的成長(zhǎng)，2018年原廠營(yíng)收至少還要增長(zhǎng)27％。
雖然往年Q4和Q1是DRAM市場(chǎng)的淡季，但由于DRAM的供貨將持續(xù)緊張，黃郁琁建議目前相關(guān)廠商可以備一兩周的庫(kù)存了，待到2018年三星平澤廠DRAM產(chǎn)能釋放出來(lái)，原廠供貨才會(huì)舒緩一點(diǎn)。從服務(wù)器、PC和手機(jī)三大DRAM需求大戶來(lái)看，預(yù)估2018年Q1智能手機(jī)搭載的DRAM價(jià)格會(huì)向PC靠攏，但不會(huì)像服務(wù)器需求的DRAM價(jià)格那么高，而這樣的狀況會(huì)延續(xù)2018整個(gè)上半年。
4、MOSFET：無(wú)線充電需求爆發(fā) MOSFET供應(yīng)告急Q4初步緩解
據(jù)記者了解，下游應(yīng)用需求諸如新能源汽車、藍(lán)牙音箱、智能家居、快速充電、無(wú)線充電等市場(chǎng)增速的加快，是導(dǎo)致金屬半場(chǎng)效晶體管（MOSFET）缺貨的直接拉動(dòng)力，特別是在iPhone X搭載無(wú)線充電技術(shù)的帶動(dòng)下，無(wú)線充電市場(chǎng)對(duì)電源IC、MOSFET等的需求與日俱增。
隨著2017年Q3元器件需求旺季的到來(lái)，MOSFET的供不應(yīng)求開始加劇，產(chǎn)業(yè)鏈不同環(huán)節(jié)均開始漲價(jià)。
不僅是英飛凌、安森美等國(guó)際大廠發(fā)出漲價(jià)通知；
大陸最大的MOSFET廠商長(zhǎng)電科技2017年連續(xù)3次漲價(jià)，累積調(diào)漲幅度10－30％；
在長(zhǎng)電大漲MOSFET價(jià)格后，其它供貨商如大中、尼克松、富鼎等臺(tái)系MOSFET廠商立刻全面跟進(jìn)漲價(jià)。
深圳市拓鋒半導(dǎo)體科技有限公司總經(jīng)理陳金松表示，MOSFET主要有三個(gè)方面的缺貨原因：
一是硅材料的漲價(jià)導(dǎo)致晶圓片價(jià)位高企，相應(yīng)的中芯國(guó)際、華虹－宏力等晶圓廠也跟著漲價(jià)；
二是封測(cè)環(huán)節(jié)所需的包材、樹脂粉等材料價(jià)位不斷高企，封測(cè)廠跟著水漲船高；
三是指紋識(shí)別芯片與第三代身份證IC需求量呈爆發(fā)式增長(zhǎng)，且這塊的利潤(rùn)比MOSFET更為可觀，晶圓廠和封測(cè)廠將更多的產(chǎn)能轉(zhuǎn)移到指紋識(shí)別與第三代身份證芯片，直接導(dǎo)致了MOSFET供應(yīng)緊缺，漲價(jià)成了必然。
記者獲悉，低壓相比中高壓MOSFET更缺，國(guó)際IDM廠陸續(xù)淡出計(jì)算機(jī)及消費(fèi)性電子的中低壓MOSFET市場(chǎng)，產(chǎn)能移轉(zhuǎn)至汽車電子中高壓MOSFET市場(chǎng)，或是轉(zhuǎn)向量產(chǎn)絕緣閘雙極晶體管（IGBT）或超接面（Super Junction）組件，是中低壓更缺貨的原因。
從交期上來(lái)看，根據(jù)富昌電子2017年Q4的市場(chǎng)分析報(bào)告指出，針對(duì)低壓MOSFET產(chǎn)品，英飛凌、Diodes、飛兆／安森美、安世、ST、Vishay的交期均延長(zhǎng)至16－30周；針對(duì)高壓MOSFET產(chǎn)品，除IXYS和MS交期穩(wěn)定之外，英飛凌、飛兆／安森美、ST、羅姆、Vishay交期也均有延長(zhǎng)。
在接下來(lái)的應(yīng)對(duì)策略上，華科半導(dǎo)體負(fù)責(zé)人李婷表示，一是盡量將訂單計(jì)劃提前，二是尋找新的產(chǎn)業(yè)鏈合作伙伴以補(bǔ)充貨源。國(guó)內(nèi)MOSFET晶圓供應(yīng)商不多，高壓主要有士蘭微、華微、華晶等，低壓主要有華虹、深圳本土的深愛等幾家。目前高壓MOSFET晶圓集中在6寸片，8寸片還沒真正成熟，不過(guò)士蘭微已經(jīng)啟動(dòng)8寸片的產(chǎn)線，預(yù)計(jì)兩年內(nèi)可實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能的成熟。
MOSFET漲價(jià)何時(shí)能得到緩解？陳金松表示可能要到2018年Q4，待國(guó)內(nèi)12寸晶圓量產(chǎn)之后，將8寸的產(chǎn)能騰出來(lái)，才有可能緩解。同時(shí)要看封測(cè)廠的“吞吐力”是否足以化解8寸產(chǎn)能的釋放，如果封測(cè)廠商難以消化這么大的產(chǎn)能，漲價(jià)仍會(huì)持續(xù)，只是漲價(jià)幅度不會(huì)像2017年這么大了。
與此同時(shí)，MOSFET國(guó)產(chǎn)化替代的趨勢(shì)整在加強(qiáng)。以前，電源用的MOSFET多采用國(guó)外品牌，如美國(guó)A／O、臺(tái)灣茂達(dá)、富鼎之類的廠商，而近些年電源廠商逐漸朝著國(guó)產(chǎn)MOSFET靠攏，而這個(gè)趨勢(shì)越來(lái)越明顯。陳金松告訴記者，A／O訂貨周期以前在4－6周，目前需要12周以上。相比之下，本土MOSFET品質(zhì)在逐年提升，本土化的技術(shù)支持、交貨周期也更靈活，終端廠商逐漸開始青睞國(guó)產(chǎn)MOSFET。
國(guó)際巨頭在逐漸退出消費(fèi)了市場(chǎng)之后，逐漸將重心轉(zhuǎn)向利潤(rùn)空間更高的工業(yè)和醫(yī)療領(lǐng)域，給了國(guó)產(chǎn)MOSFET很大的市場(chǎng)機(jī)遇。相對(duì)而言，國(guó)際巨頭在MOSFET產(chǎn)品的性能參數(shù)、可靠性、使用壽命等方面還是有一定的優(yōu)勢(shì)。不過(guò)，國(guó)內(nèi)廠商在成本控制、本土化服務(wù)、交貨后期等方面優(yōu)要于國(guó)際巨頭，因此在中低壓消費(fèi)類市場(chǎng)迅速占領(lǐng)了主導(dǎo)地位，國(guó)產(chǎn)化替代也在不斷加速。
5、其他
除了上述4大類缺貨最為嚴(yán)重的半導(dǎo)體元器件，2018年初行業(yè)爆出諸如電阻、電感等被動(dòng)元器件、電源管理芯片、LED驅(qū)動(dòng)芯片也出現(xiàn)了不同程度的缺貨。
記者獲悉，2018年元旦前后，國(guó)內(nèi)外原廠就發(fā)布了新的漲價(jià)通知，主要集中在MOSFET、電源管理IC、LED驅(qū)動(dòng)IC等產(chǎn)品，部分產(chǎn)品漲幅達(dá)到了15％－20％。2018年年初的這一波IC和元器件的漲幅，正式掀開了2018年半導(dǎo)體持續(xù)供應(yīng)緊缺的序幕。（來(lái)源：華強(qiáng)電子網(wǎng)）
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